2021年3月17日，以“跨界全球，心‘芯’相聯(lián)”為主題的 SEMICON CHINA 2021在上海新國際博覽中心隆重開幕。作為第三代半導(dǎo)體材料及功率器件供應(yīng)商，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司(簡稱“聚能創(chuàng)芯”)及其全資子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(簡稱“聚能晶源”)，攜多款高性能GaN材料、器件產(chǎn)品及應(yīng)用方案于N2館2207展位精彩亮相。

　　借本次展會(huì)契機(jī)，聚能創(chuàng)芯與聚能晶源展出了650 V系列GaN外延晶圓材料、GaN功率器件及相應(yīng)的GaN快充應(yīng)用方案。

　　此次展出的硅基GaN外延晶圓由聚能晶源成功研發(fā)，具有耐高壓、耐高溫、低漏電、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)TDDB測試方法，其在標(biāo)稱耐壓值下的長時(shí)有效壽命達(dá)到了109(10的九次方)小時(shí)，處于國際業(yè)界領(lǐng)先水平。

　　聚能創(chuàng)芯開發(fā)的650VGaN功率器件，采用增強(qiáng)型器件技術(shù)，具有低寄生效應(yīng)、高開關(guān)速度、高效率的特點(diǎn)。該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻覆蓋55-300mΩ、穩(wěn)定輸出電流9-24A、RdsonxQg為350mΩ/nC，可滿足0-10kW的消費(fèi)類快充、無線充電、智能家電、5G通訊、云計(jì)算等應(yīng)用場景的需求。在封裝方面，產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)的PQFN封裝，兼顧方便易用、緊湊性、低寄生與良好散熱的需求。

　　在此基礎(chǔ)上，聚能創(chuàng)芯還開發(fā)了65-120W系列PD快充應(yīng)用方案，以演示自有GaN功率器件在下一代快充應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢。得益于聚能創(chuàng)芯GaN功率器件的低漏電、高效率、高開關(guān)速度的性能優(yōu)勢，聚能創(chuàng)芯GaNPD快充達(dá)到了輸出效率大于94%，功率密度大于30W/inch³的水平，有效解決了當(dāng)下大功率快充發(fā)熱大、尺寸不便攜的痛點(diǎn)，成為各類便攜式電子產(chǎn)品的優(yōu)秀電源解決方案。

　　面向新一代功率與微波系統(tǒng)應(yīng)用，聚能晶源致力于為業(yè)界提供標(biāo)準(zhǔn)化的GaN外延晶圓產(chǎn)品和定制化服務(wù)，聚能創(chuàng)芯致力于為目前需求旺盛的GaN快充領(lǐng)域提供高性能、高性價(jià)比的純國產(chǎn)GaN器件與應(yīng)用技術(shù)解決方案，為5G通訊、云計(jì)算、新型消費(fèi)類電源、智能駕駛等提供核心元器件支持。