2021年3月15日，《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》正式公布，提出加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)，在事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領(lǐng)域，制定實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程。要求瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領(lǐng)域，實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目，以期最終實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的獨立自主。

　　在“十四五規(guī)劃”中，集成電路被列為科技前沿領(lǐng)域之一，包括集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。

　　賽微電子目前的核心業(yè)務即為MEMS與GaN，公司分別在2015、2018年就對該兩項業(yè)務進行前瞻性布局。其中，MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造為賽微電子目前的核心優(yōu)勢業(yè)務，在2020年營業(yè)收入中占比88.85%，在2019年全球MEMS晶圓代工排名中超越TELEDYNE DALSA、索尼(SONY)、臺積電(TSMC)、X-FAB等廠商排名世界第一;GaN外延材料生長與器件設計則是賽微電子當前和未來的潛力業(yè)務，已掌握業(yè)界領(lǐng)先的8英寸硅基GaN外延、6英寸碳化硅基GaN外延生長技術(shù)以及GaN功率、微波器件設計能力，其中部分產(chǎn)品已形成序列并推向市場。

　　圍繞MEMS、GaN兩項分處不同發(fā)展階段、聚焦發(fā)展的半導體戰(zhàn)略性業(yè)務，賽微電子的發(fā)展目標是致力于成為一家立足本土、國際化發(fā)展的知名半導體科技企業(yè)集團。