近日，由充電頭網(wǎng)主辦的2020(冬季)USB PD&Type-C亞洲展在深圳市成功舉辦。作為第三代半導(dǎo)體功率器件供應(yīng)商，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司(簡(jiǎn)稱“聚能創(chuàng)芯”)及兄弟公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)參展，展出了650 V系列GaN外延晶圓材料、GaN功率器件及相應(yīng)的GaN快充應(yīng)用方案，吸引了眾多展會(huì)觀眾的關(guān)注。

　　在同期舉辦的“2020(冬季)USB PD & Type-C亞洲大會(huì)”上，聚能創(chuàng)芯總經(jīng)理袁理以“面向快充應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)化GaN材料和器件技術(shù)解決方案”為題發(fā)表演講，并在演講中介紹了650V系列GaN外延晶圓材料、GaN功率器件及相應(yīng)的GaN快充應(yīng)用方案。

　　其中，聚能創(chuàng)芯650V氮化鎵功率器件采用增強(qiáng)型器件技術(shù)，具有低寄生效應(yīng)、高開關(guān)速度、高效率的特點(diǎn)。該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻覆蓋55-300mΩ、穩(wěn)定輸出電流9-24A、RdsonxQg為350mΩ/nC，可滿足0-10kW的消費(fèi)類快充、無(wú)線充電、智能家電、5G通訊、云計(jì)算等應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

　　基于上述650V系列氮化鎵功率器件產(chǎn)品，聚能創(chuàng)芯開發(fā)了65-120W系列PD快充應(yīng)用方案，以演示自有氮化鎵功率器件在下一代快充應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。得益于聚能創(chuàng)芯氮化鎵功率器件的低漏電、高效率、高開關(guān)速度的性能優(yōu)勢(shì)，聚能創(chuàng)芯氮化鎵PD快充達(dá)到了輸出效率大于94%，功率密度大于30W/inch³，有效解決了當(dāng)下大功率快充發(fā)熱大、尺寸不便攜的痛點(diǎn)，成為各類便攜式電子產(chǎn)品的優(yōu)秀電源解決方案。

　　聚能創(chuàng)芯成立于2018年7月，主要從事第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率與微波器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)。面向新一代功率與微波系統(tǒng)應(yīng)用，聚能創(chuàng)芯致力于為目前需求旺盛的GaN快充領(lǐng)域提供高性能、高性價(jià)比的純國(guó)產(chǎn)GaN器件與應(yīng)用技術(shù)解決方案，為5G通訊、云計(jì)算、新型消費(fèi)類電源、智能駕駛等提供核心元器件支持。