晶圓襯底通孔（TXV, through X via, X=Si、SiO₂ …）是一種連接晶圓不同表面電路的互連技術，通孔垂直穿過晶圓襯底，將晶圓襯底一側的電信號傳導到另一側。

TXV一般由刻蝕在晶圓襯底上的通孔、通孔中的導體和將導體與晶圓襯底材料隔離的絕緣體組成。按照配置的不同，可分為實心式、空心式和氣隙式。導體材料一般可以選擇摻雜的單晶硅、多晶硅，以及銅（Cu）、鈦（Ti）、金（Au）、鋁（Al）、鎳（Ni）等金屬。絕緣體材料可以選擇二氧化硅（SiO₂）、聚合物等。由于TXV通孔的電阻遠小于許多MEMS器件的內阻，可以采用TXV將原來放置在MEMS晶圓上的引線鍵合焊盤移到蓋帽（CAP）晶圓頂部。這樣能夠節(jié)省芯片面積，減少寄生電容和其它損耗（見圖1）。

圖1：使用TXV技術將芯片面積從2×2mm縮小至1×1mm，可大幅增加Die數(shù)量

TXV技術可以用于芯粒（Chiplet）、CMOS-MEMS垂直集成（3D集成）、2.5D轉接板，以及晶圓級封裝（WLP）。應用TXV技術的集成方案具備高性能、多功能、低成本、更可靠、小封裝尺寸等優(yōu)點，極大地推動了MEMS產(chǎn)業(yè)的技術進步。

瑞典Silex2003年開始研發(fā)硅TSV技術（SilVia®TSV, All-silicon Through Silicon Via）。2004年該技術首次在手機MEMS麥克風的2.5D轉接板上應用，確立了瑞典Silex在TSV領域的領先地位（見圖2、圖3）。硅TSV技術具有全晶圓厚度的通孔，以及被絕緣材料環(huán)繞的導體柱，有利于形成堅固的低電阻互連結構，避免由于硅和金屬熱膨脹系數(shù)不匹配造成的應力。2006年，該技術作為工藝平臺，開始投入MEMS器件的批量制造。

隨后，瑞典Silex進一步開發(fā)基于金屬導體的硅通孔技術（MetVia®TSV, Metal Through Silicon Via），金屬導體結構的引入，提升了硅通孔的可靠性，生產(chǎn)了低電阻MEMS器件。2014年，由于智能設備的輕薄化，玻璃材料得到更廣泛運用，瑞典Silex順勢研發(fā)出玻璃通孔技術（TGV, Through Glass Via），用于生產(chǎn)高壓和高頻應用的低電阻器件，以更好地利用玻璃的物理特性，減小器件的電路損耗。目前公司旗下賽萊克斯北京，已通過自主研發(fā)，掌握了先進的TSV技術。