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工藝平臺(tái)

Process Platform

深反應(yīng)離子刻蝕

深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)(Deep Reactive lon Etching,簡(jiǎn)稱DRIE)起源于20世紀(jì)七八十年代,是用于制作高深寬比器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)微加工技術(shù),主要應(yīng)用于MEMS制造、集成電路三維集成、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。DRIE基于電感耦合等離子體技術(shù),主要特點(diǎn)為各向異性刻蝕、選擇性刻蝕、高深寬比、精密控制,以及與集成電路工藝高度兼容等。

 

SilVia®TSV的深反應(yīng)離子刻蝕過程

 

根據(jù)刻蝕技術(shù)的不同,DRIE可分為穩(wěn)態(tài)刻蝕(Steady-State Etching)時(shí)間復(fù)用刻蝕(Time Multiplexed Etching)。穩(wěn)態(tài)刻蝕往往需要在低溫條件下進(jìn)行,消除由副產(chǎn)物阻礙導(dǎo)致的刻蝕停止,其優(yōu)點(diǎn)是易形成平滑且連續(xù)的刻蝕形貌,缺點(diǎn)是刻蝕速率低、刻蝕選擇比低、設(shè)備要求高。時(shí)間復(fù)用刻蝕應(yīng)用最普遍的是Bosch工藝,基于刻蝕和鈍化周期性交替進(jìn)行,將一個(gè)刻蝕循環(huán)分解為三個(gè)子過程:碳氟聚合物沉積、鈍化層刻蝕和硅刻蝕,實(shí)現(xiàn)硅的深度和各向異性刻蝕,具有高刻蝕速率、高選擇比、高精度、高垂直度、高深寬比、常溫反應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。公司旗下產(chǎn)線的DRIE技術(shù)處于國(guó)際領(lǐng)先水平。