深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)（Deep Reactive lon Etching，簡稱DRIE）起源于20世紀(jì)七八十年代，是用于制作高深寬比器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)微加工技術(shù)，主要應(yīng)用于MEMS制造、集成電路三維集成、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。DRIE基于電感耦合等離子體技術(shù)，主要特點(diǎn)為各向異性刻蝕、選擇性刻蝕、高深寬比、精密控制，以及與集成電路工藝高度兼容等。

SilVia®TSV的深反應(yīng)離子刻蝕過程

根據(jù)刻蝕技術(shù)的不同，DRIE可分為穩(wěn)態(tài)刻蝕（Steady-State Etching）和時間復(fù)用刻蝕（Time Multiplexed Etching）。穩(wěn)態(tài)刻蝕往往需要在低溫條件下進(jìn)行，消除由副產(chǎn)物阻礙導(dǎo)致的刻蝕停止，其優(yōu)點(diǎn)是易形成平滑且連續(xù)的刻蝕形貌，缺點(diǎn)是刻蝕速率低、刻蝕選擇比低、設(shè)備要求高。時間復(fù)用刻蝕應(yīng)用最普遍的是Bosch工藝，基于刻蝕和鈍化周期性交替進(jìn)行，將一個刻蝕循環(huán)分解為三個子過程：碳氟聚合物沉積、鈍化層刻蝕和硅刻蝕，實(shí)現(xiàn)硅的深度和各向異性刻蝕，具有高刻蝕速率、高選擇比、高精度、高垂直度、高深寬比、常溫反應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。公司旗下產(chǎn)線的DRIE技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平。